Η Samsung παρουσιάζει νέο τσιπ μνήμης και αυξάνει τη χωρητικότητα της flash

36

Η νοτιοκορεάτικη Samsung παρουσίασε τη Δευτέρα ένα νέο είδος μνήμης για φορητές συσκευές, που αποθηκεύει δεδομένα ταχύτερα από τη μνήμη flash. Παράλληλα ανακοίνωσε τη δημιουργία ενός τσιπ μνήμης flash με χωρητικότητα 32 Gigabit (4 Gigabyte).

Η νέα «μνήμη τυχαίας προσπέλασης αλλαγής φάσης», PRAM, διατηρεί τα δεδομένα ακόμα και αφού η συσκευή σβήσει, όπως και η μνήμη flash. Λειτουργεί όμως 30 φορές ταχύτερα.

Η εταιρεία παρουσίασε στη Σεούλ ένα πρωτότυπο με χωρητικότητα 512 Megabit και εκτίμησε ότι η τεχνολογία θα γίνει εμπορικά διαθέσιμη το 2008.

Σήμερα, στις φορητές ηλεκτρονικές συσκευές χρησιμοποιούνται δύο τύποι μνήμης flash, η NOR και η NAND.

Τα τσιπ NOR είναι κατάλληλα για την άμεση εκτέλεση λογισμικού, είναι όμως πιο αργά και πιο ακριβά στην παραγωγή τους. Τα τσιπ NAND είναι φθηνότερα και παράγονται ευκολότερα, είναι όμως πιο κατάλληλα για την αποθήκευση αρχείων, όπως φωτογραφίες και τραγούδια mp3.

Όπως εξήγησε η εταιρεία, η νέα μνήμη PRAM βασίζονται σε κατακόρυφες διόδους και τρανζίστορ τρισδιάστατης δομής για λόγους σμίκρυνσης. Σε αντίθεση με τις μνήμες NOR και NAND, δεν χρειάζεται να διαγράψει τα παλιά δεδομένα για να αποθηκεύσει νέα.

Η Samsung παρουσίασε επίσης ένα τσιπ μνήμης NAND με χωρητικότητα 32 Gigabit, το οποίο παράγεται με την κατασκευαστική διαδικασία των 40 νανομέτρων -αυτό είναι το μέγεθος των μικρότερων καλωδιώσεων μέσα στο τσιπ.

Σήμερα η εταιρεία χρησιμοποιεί την κατασκευαστική διαδικασία των 70 νανομέτρων, η οποία δίνει χωρητικότες έως 16 Gigabit.

Περισσότερα από ένα τσιπ των 32 Gibgabit, αναφέρει σχετική ανακοίνωση, μπoρούν να χρησιμοποιηθούν σε κάρτες μνήμης με χωρητικότητα 32 ή 64 Gigabyte.

Η Samsung είναι σήμερα ο μεγαλύτερος κατασκευαστής μνήμης και ένας από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές καταναλωτικών ηλεκτρονικών συσκευών, με πωλήσεις 60 δισ. δολαρίων και κέρδη 8 δισ. δολαρίων στη διάρκεια του 2005.

Newsroom ΑΛΤΕΡ ΕΓΚΟ,Associated Press