Η Samsung αυξάνει τη χωρητικότητα της μνήμης flash

36

Η Samsung Electronics παρουσίασε την Τρίτη το πρώτο τσιπ μνήμης flash που μπορεί να αποθηκεύσει 64-Gigabit (8 GB) πληροφορίας, με την προοπτική να το χρησιμοποιήσε σε κάρτες μνήμης των 128 GB για χρήση σε φορητές συσκευές.

Όπως αναφέρει το Reuters, το νέο τσιπ θα παράγεται από το 2009 με τη νεώτερη κατασκευαστική τεχνολογία των 30 νανομέτρων -αυτή είναι η ελάχιστη διάσταση των εσωτερικών καλωδιώσεων. Συγκριτικά, μια ανθρώπινη τρίχα έχει πάχος γύρω στα 80.000 νανόμετρα.

Φέτος είναι η όγδοη συνεχής χρονιά που η πυκνότητα της μνήμης flash διπλασιάζεται και η έβδομη συνεχής χρονιά που βελτιώνεται η κατασκευαστική τεχνολογία για τις μνήμες NAND flash.

Η Samsung σκοπεύει να συνδέσει έως και 16 από τα νέα τσιπ σε κάρτες μνήμης με χωρητικότητα έως και 128GB, αρκετή για την αποθήκευση 80 ταινιών σε ποιότητα DVD.

Η μνήμη flash, που διατηρεί τα δεδομένα ακόμα και όταν διακοπεί η παροχή ρεύματος, προσφέρει ταχύτητες μεγαλύτερες από των σκληρών δίσκων και χρησιμοποιείται ευρέως σε κάμερες, φωτογραφικές μηχανές, mp3 player και άλλες φορητές συσκευές.

Σήμερα, η πλειονότητα των τσιπ της Samsung κατασκευάζεται σήμερα με την τεχνολογία των 50 νανομέτρων, ωστόσο η εταιρεία θα περάσει στην κλίμακα των 40 νανομέτρων για τα τσιπ των 32-Gigabit που θα αρχίσει να παράγει του χρόνου.

Newsroom ΑΛΤΕΡ ΕΓΚΟ