60

Στη δημιουργία ενός νέου τύπου μαγνητικής μνήμης, ο οποίος φιλοδοξεί να αντικαταστήσει τις «παραδοσιακές» DRAM, σκοπεύουν να προχωρήσουν οι εταιρείες IBM και Infineon Technologies. Η μνήμη MRAM (Magnetic Random Access Memory) θα χρησιμοποιεί μαγνητικά φορτία για την αποθήκευση των πληροφοριών, σε αντίθεση με τα ηλεκτρικά φορτία που χρησιμοποιούν οι DRAM.

Κύριο χαρακτηριστικό της MRAM είναι ότι τα δεδομένα που αποθηκεύονται σε αυτή δεν χάνονται όταν διακόπτεται η παροχή ηλεκτρικού ρεύματος. Αυτό θα μπορούσε να επιταχύνει σημαντικά τη διαδικασία εκκίνησης ενός υπολογιστή, αφού τα δεδομένα θα μπορούν να διατηρούνται στη μνήμη χωρίς να είναι αναγκαία η εισαγωγή τους εκ νέου από το σκληρό δίσκο.


Συνολικά, ο νέος τύπος μνήμης υπόσχεται σημαντικά καλύτερες χωρητικότητες και ταχύτητες, με σχετικά χαμηλό κόστος. Επίσης, καταναλώνει λιγότερη ενέργεια, αφού δεν απαιτεί συνεχή τροφοδοσία ρεύματος για τη διατήρηση των δεδομένων.


Η παραγωγή των πρώτων τσιπ αναμένεται να γίνει το 2003, ενώ -σύμφωνα με εκτιμήσεις της IBM- οι μνήμες MRAM θα είναι διαθέσιμες στο αγοραστικό κοινό μέσα στο 2004.

Newsroom ΑΛΤΕΡ ΕΓΚΟ,Reuters

Ειδήσεις Σήμερα: