Η ΙΒΜ επιταχύνει τα βασικά δομικά στοιχεία των τσιπ για δίκτυα

39

Ένα νέο επίτευγμα της ΙΒΜ στην κατασκευή τρανζίστορ, το οποίο αναμένεται να ανακοινωθεί σήμερα, Δευτέρα, εκτιμάται ότι θα επιτρέψει τη δημιουργία τσιπ για συσκευές δικτύου που θα έχουν ταχύτητα διπλάσια από αυτήν των σημερινών τσιπ πυριτίου.

Τα νέα λεπτότερα και ταχύτερα τρανζίστορ της ΙΒΜ θα κατασκευάζονται με μια τεχνική που ονομάζεται SiGe, κατά την οποία το πυρίτιο αναμειγνύεται με το γερμάνιο. Το αποτέλεσμα θα είναι όχι μόνο η κατασκευή ταχύτερων έως και 80% τρανζίστορ αλλά και η μείωση της κατανάλωσης ρεύματος στο μισό σε σχέση με τα σημερινά. Πράγματι, τα νέα τρανζίστορ θα μπορούν να λειτουργήσουν, για παράδειγμα, στα 210GHz χρησιμοποιώντας μόλις 1mA ηλεκτρικού ρεύματος.

Η ΙΒΜ υποστηρίζει ότι η τεχνική της θα επιτρέψει την κατασκευή τσιπ συσκευών δικτύου που θα λειτουργούν στα 80GHz ή με ταχύτητα διπλάσια αυτής των σημερινών τσιπ για το συγκεκριμένο σκοπό. Επιπλέον, εάν το επιτύχει, οι κατασκευαστές των εν λόγω επεξεργαστών δεν θα χρειαστεί να χρησιμοποιήσουν άλλα «εξωτικά» υλικά, όπως φωσφορίδια ινδίου ή γάλλιο.

Η ΙΒΜ ασχολείται την τελευταία δεκαετία με το συνδυασμό ατόμων πυριτίου και γερμανίου, για να κατασκευάσει ένα υλικό που θα προβάλλει χαμηλότερη αντίσταση στη διέλευση του ηλεκτρικού ρεύματος. Το επίτευγμά της αυτό όμως, θα της επιτρέψει την κατασκευή τρανζίστορ που έχουν πάχος μόνο 100-200 ατόμων, κάτι το οποίο ήταν προαπαιτούμενο για την κατασκευή ταχύτερων τσιπ για συσκευές δικτύου.

Τα πρώτα τσιπ που θα παραχθούν με τα τρανζίστορ αυτά θα προορίζονται κατά πάσα πιθανότητα για συσκευές δικτύων οπτικών ινών. Δεν αποκλείεται μάλιστα να χρησιμοποιηθούν και σε κινητά τηλέφωνα, όπως αναφέρει το CNet.

Newsroom ΑΛΤΕΡ ΕΓΚΟ