60

Στη δημοσίευση νέων συγκριτικών τεστ ανάμεσα στις παραδοσιακές μνήμες SDRAM και στο νέο τύπο μνήμης Rambus πρόκειται να προβεί η Intel στα τέλη Φεβρουαρίου στο πλαίσιο του συνεδρίου Intel Developer Forum. Αυτό αποκάλυψε ο πρόεδρος της Rambus Ντέιβ Μούρινγκ σε δηλώσεις του στο δικτυακό τόπο Electronic News.

Σύμφωνα με τον Μούρινγκ, η Intel έχει ήδη στα χέρια της τα πρώτα συγκριτικά τεστ που αποδεικνύουν την ανωτερότητα των μνημών τύπου Rambus έναντι των απλών SDRAM σε συστήματα που υποστηρίζουν το νέο επεξεργαστή Pentium 4. Η υπεροχή των επιδόσεων της Rambus έναντι της συμβατικής SDRAM είναι «ξεκάθαρη».


Συγκεκριμένα, ο Μούρινγκ τόνισε ότι σε υπολογιστικά συστήματα με Pentium 4 η υπεροχή της Rambus φαίνεται σαφώς στην ταχύτητα με την οποία αλληλεπιδρούν οι εφαρμογές με το χρήστη, όπως για παράδειγμα στην ταχύτητα εμφάνισης ενός πλαισίου διαλόγου ή την ανταπόκριση των εφαρμογών σε κάποια εντολή του χρήστη.


Αξίζει να σημειωθεί ότι προγενέστερα συγκριτικά τεστ που είχε δημοσιεύσει στο παρελθόν η Intel και τα οποία αφορούσαν στη σύγκριση των σχετικά ακριβών μνημών Rambus με μνήμες τύπου DRAM με ταχύτητα διαύλου 133 σε συστήματα που υποστήριζαν τον επεξεργαστή Pentium III δεν ήταν διόλου κολακευτικά για τις πρώτες. Τα τεστ είχαν αναδείξει νικήτρια με μικρή έστω διαφορά τη μνήμη τύπου DRAM.

Newsroom ΑΛΤΕΡ ΕΓΚΟ

Ειδήσεις Σήμερα: